Study of Metal Contamination in CMOS Image Sensors by Dark Current and Deep Level Transient Spectroscopies - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Study of Metal Contamination in CMOS Image Sensors by Dark Current and Deep Level Transient Spectroscopies

F. Domengie
  • Fonction : Auteur
J.L. Regolini
  • Fonction : Auteur
D. Bauza
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00603675

Soumis le : lundi 27 juin 2011-09:58:25

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:05:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00603675 , version 1 (27-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00603675 , version 1

Citer

F. Domengie, J.L. Regolini, D. Bauza. Study of Metal Contamination in CMOS Image Sensors by Dark Current and Deep Level Transient Spectroscopies. 13th International Conference on Defects, Jun 2009, United States. ⟨hal-00603675⟩

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