Improvement of HfO2 ReRAM performances through electrode processing

Corentin Vallée; C. Mannequin; P. Gonon; A. Salaün; H. Grampeix; V. Jousseaume

Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Improvement of HfO2 ReRAM performances through electrode processing

(1) , (1) , (1) , , , (2)

1
2

Corentin Vallée

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

C. Mannequin

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

P. Gonon

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

A. Salaün

Fonction : Auteur

H. Grampeix

Fonction : Auteur

V. Jousseaume

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00669539

Soumis le : lundi 13 février 2012-14:16:17

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:16:42

Dates et versions

hal-00669539 , version 1 (13-02-2012)

Identifiants

HAL Id : hal-00669539 , version 1

Citer

Corentin Vallée, C. Mannequin, P. Gonon, A. Salaün, H. Grampeix, et al.. Improvement of HfO2 ReRAM performances through electrode processing. 2012 MRS Spring Meeting, Apr 2012, San Francisco, United States. ⟨hal-00669539⟩

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