Graphene electrodes for resistance switching in HfO2 based ReRAM - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00908480 , version 1 (23-11-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00908480 , version 1

Citer

C. Mannequin, A. Delamoreanu, C. Vallee, P. Gonon, L. Latu-Romain, et al.. Graphene electrodes for resistance switching in HfO2 based ReRAM. ICMAT 2013 - 30 juin-5 juillet (Singapour), Jun 2013, singapour, Singapore. ⟨hal-00908480⟩
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