Effects of channel width variation on electrical characteristics of tri-gate Junctionless Transistors

D.-Y. Jeon (1) , S. J. Park (1) , M. Mouis (1) , S. Barraud (2) , G.-T. Kim , G. Ghibaudo (1)

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 LGCIE - Laboratoire de Génie Civil et d'Ingénierie Environnementale

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

D.-Y. Jeon, S. J. Park, M. Mouis, S. Barraud, G.-T. Kim, et al.. Effects of channel width variation on electrical characteristics of tri-gate Junctionless Transistors. Solid-State Electronics, 2013, 81, pp.58-62. ⟨10.1016/j.sse.2013.01.002⟩. ⟨hal-01001968⟩