Impact Of Single Charge Trapping On The Variability of Ultra-Scaled Planar And Tri-Gate FDSOI MOSFETs: Experiment vs Simulation

A. Subirats (1) , X. Garros , J. El Husseini , C. Le Royer (2) , G. Reimbold , G. Ghibaudo (1)

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

A. Subirats, X. Garros, J. El Husseini, C. Le Royer, G. Reimbold, et al.. Impact Of Single Charge Trapping On The Variability of Ultra-Scaled Planar And Tri-Gate FDSOI MOSFETs: Experiment vs Simulation. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60, pp.2604-2610. ⟨hal-01018674⟩