Determination of defect levels parameters in semiinsulating GaAs:Cr from transient photocurrent experiment - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Semiconductor Science and Technology Année : 2005

Determination of defect levels parameters in semiinsulating GaAs:Cr from transient photocurrent experiment

H. Belgacem
  • Fonction : Auteur
A. Merazga
  • Fonction : Auteur
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris

Olivier Schneegans  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00321234

Soumis le : vendredi 12 septembre 2008-16:06:14

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00321234 , version 1 (12-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00321234 , version 1

Citer

H. Belgacem, A. Merazga, Christophe Longeaud. Determination of defect levels parameters in semiinsulating GaAs:Cr from transient photocurrent experiment. Semiconductor Science and Technology, 2005, 20, pp.56-61. ⟨hal-00321234⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

SUPELEC UPMC EC-PARIS CNRS SUP_LGEP CENTRALESUPELEC UNIV-PARIS-SACLAY SORBONNE-UNIVERSITE
59 Consultations
1 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More