Interface formation during the yttrium oxide deposition on Si by pulsed liquid-injection plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science & Technology A Année : 2004

Interface formation during the yttrium oxide deposition on Si by pulsed liquid-injection plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Catherine Dubourdieu  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00135411

Soumis le : mercredi 7 mars 2007-16:20:29

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00135411 , version 1 (07-03-2007)

Identifiants

Citer

C. Durand, Corentin Vallée, C. Dubourdieu, E. Gautier, M. Bonvalot, et al.. Interface formation during the yttrium oxide deposition on Si by pulsed liquid-injection plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition. Journal of Vacuum Science & Technology A, 2004, 22(6), pp.2490-2499. ⟨10.1116/1.1810163⟩. ⟨hal-00135411⟩

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